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2026.11.13 Fri UP

小林 篤准教授らの研究が日刊工業新聞に掲載

先進工学部 マテリアル創成工学科の小林 篤准教授らの研究が、日刊工業新聞に掲載されました。

新規窒化物半導体ヘテロ接合における二次元電子ガス(2DEG)の量子輸送特性を明らかにした成果であり、高耐圧・低損失・高出力なGaN HEMTの研究開発を加速させ、電力変換の省エネルギー化や次世代高周波通信技術の発展に貢献することが期待されます。

詳細は掲載紙をご覧ください。

掲載紙
日刊工業新聞 2026年11⽉12⽇ 朝刊
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本学プレスリリース

新規窒化物半導体ヘテロ接合における二次元電子の量子輸送特性を解明 ─次世代GaNトランジスタの性能向上に道筋─

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